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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)

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产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	工厂交货时间	表面安装	材料	终端数量	晶体管元件材料																		Maximum Drain Source Resistance (MOhm)																																																	包装	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	类型	端子表面处理	附加功能	HTS代码	子类别	端子位置	终端形式	Reach合规守则
JANSR2N7463T2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	1390@12V	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	400	±20	2.9	41(Max)@12V	555@25V	25000	58(Max)	62(Max)	58(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔						不合规				活跃											3					Single											N					9.22(Max)
IXFB100N50Q3	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	PLUS 264						符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HiperFET	Enhancement	1	500	±30	100	49@10V	255@10V	255	13800@25V	1560000		15	20	50	40	-55	150	通孔	26.59(Max)	5.31(Max)	20.29(Max)	3	Tab				活跃											3					Single											N
IXFH96N20P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	24@10V	175	通孔	21.46(Max)	5.3(Max)	16.26(Max)	3	Tab	TO-247	96(A)	200(V)	无	1	±20(V)	-55C to 175C	TO-247	Military						符合免除	EAR99	8541.29.00.95	有	有	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	96	145@10V	145	4800@25V	600000	30	30	75	28	-55				活跃		功率MOSFET									3				N	Single		600(W)									N
IAUS180N04S4N015ATMA1	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	16 Weeks	YES	8	SILICON	RECTANGULAR		Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.76	180 A		符合免除	EAR99	有	有	有	Unknown	40	4	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G8	小概要	1	PLASTIC/EPOXY	-55 °C	175 °C	有	IAUS180N04S4N015ATMA1	卷带			Obsolete							SINGLE	鸥翼		compliant		AEC-Q101	R-PSSO-G8			SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		DRAIN		N-CHANNEL		180 A	0.0015 Ω	720 A	40 V	N	320 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	166 W	145 pF
IXFK44N80P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	190@10V	Tab	TO-264AA						符合免除	EAR99	8541.10.00.80	有	有	无	无	功率MOSFET	HiperFET	Enhancement	1	800	±30	44	198@10V	198	1200@25V	1040000	27	22	75	28	-55	150	通孔	26.16(Max)	5.13(Max)	19.96(Max)	3				活跃											3					Single											N
JANTX2N6762	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	NO	2	SILICON	1800@10V	40(Max)	80(Max)	30(Max)	-55	150	Military	通孔	7.74(Max)	25.53(Max)	39.37(Max)	2	Tab	TO-204-AA	TO-204AE	通孔	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	FLANGE MOUNT	METAL	未说明	无	JANTX2N6762	ROUND	Microsemi Corporation	1	Obsolete	4.5 A	TO-3	7.71	MICROSEMI CORP			不合规	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	500	±20	4.5	40(Max)@10V	40(Max)	610@25V	75000	30(Max)		e0	无	活跃			Tin/Lead (Sn/Pb)				BOTTOM	PIN/PEG	未说明	not_compliant	3	MIL-19500	O-MBFM-P2	Qualified		Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL	TO-204AA		1.8 Ω	18 A	500 V	N	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSR2N7472U2L	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1							供应商未确认	无	无	130	43	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2				活跃											3																N
IXFK80N50P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	65@10V				符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	HiperFET	Enhancement	1	500	±30	80	197@10V	197	12700@25V	1040000	16	27	70	25	-55	150	通孔	26.16(Max)	5.13(Max)	19.96(Max)	3	Tab	TO-264						活跃											3					Single											N
IXFN80N50	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	55@10V				符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	80	380@10V	380	9890@25V	780000	27	70	102	61	-55	150	Screw	9.6(Max)	25.42(Max)	38.23(Max)	4	SOT	SOT-227B	Screw						NRND											4					单双源											N
IRFF220	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					不合规	EAR99	8542.31.00.01	无	无	功率MOSFET	HEXFET	Enhancement	1	200	±20	3.5	850@10V	14.3(Max)@10V	14.3(Max)	260@25V	20000		50(Max)	50(Max)	50(Max)	40(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔					活跃											3					Single											N					9.22(Max)
IXTK90P20P	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	44@10V		符合免除	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	90	205@10V	205	12000@25V	890000	28	60	89	32	-55	150	通孔	26.16(Max)	5.13(Max)	19.96(Max)	3	Tab	TO-264								活跃											3					Single											P
IRHQ6110SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	4	100	±20	3@N Channel\|2.3@ P Channel	600@12V@N Channel\|1100@12V@P Channel	17(Max)@12V@N Channel\|16(Max)@12V@P Channel	270@25V@N Channel\|285@25V@P Channel	12000	40(Max)@N Channel\|32(Max)@P Channel	25(Max)@N Channel\|17(Max)@P Channel		40(Max)@N Channel\|32(Max)@P Channel	20(Max)@N Channel\|21(Max)@P Channel	-55	150	表面贴装	2.41(Max)	11.68(Max)	11.68(Max)	28	LCC	CLCC	No Lead					活跃											28					四重双漏极双源极											N\|P
JANTXVR2N7479U3	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	20@12V		出口接触方式	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	30	±20	4	-55 to 150	22	100	10	65(Max)@12V	1000	30(Max)	100(Max)	35(Max)	25(Max)	-55	150	Military	CYLINDRICAL,	无	JANTXVR2N7479U3	Infineon Technologies AG	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.4							Unconfirmed					8541.21.00.95					unknown						Single											N
IRHLF7970Z4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±10	1.5	[email protected]	2.8(Max)@4.5V	177@25V	5000	27(Max)	45(Max)		12(Max)	24(Max)	-55	150	通孔	4.54(Max)	3	TO-205-AF	TO-39	通孔									活跃											3					Single											P					9.22(Max)
IRHNA57064	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	5.6@12V	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	IRHNA57064	RECTANGULAR	International Rectifier	1	Transferred	INTERNATIONAL RECTIFIER HIREL PRODUCTS LLC	7.49	75 A			不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	60	±20	75	165(Max)@12V	6080@25V	250000	50(Max)	125(Max)	60(Max)	35(Max)	-55	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)			无	活跃	EAR99			HIGH RELIABILITY, RADIATION HARDENED			BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格		Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL			0.0056 Ω	300 A	60 V	N	500 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JANSH2N7503U8	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1					出口接触方式		无	无					Unconfirmed
IRHMS6S7160SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	13.84(Max)	3	Tab	TO-254AA							供应商未确认	无	无	100	45	2080000	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)				活跃											3																N
IRHNA57163SE	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	YES	3	SILICON	150	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD	SMD-2	HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN	CHIP CARRIER	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	未说明	150 °C	无	IRHNA57163SE	RECTANGULAR	Infineon Technologies AG	1	活跃	INFINEON TECHNOLOGIES AG	5.21	75 A			不合规	出口接触方式	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	130	±20	75	13.5@12V	160(Max)@12V	5020@25V	250000	50(Max)	125(Max)		80(Max)	35(Max)	-55		e0		活跃	EAR99		Tin/Lead (Sn/Pb)			FET 通用电源	BOTTOM	无铅	未说明	unknown	3		R-CBCC-N3	不合格		Single	增强型MOSFET		DRAIN	SWITCHING	N-CHANNEL		75 A	0.0135 Ω	300 A	130 V	N	280 mJ	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	300 W
IXTP6N50D2	Littelfuse	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	550@0V		Compliant	EAR99	8541.21.00.95	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	500	±20	96@5V	2800@25V	300000	43	72	82	28	-55	150	通孔	9.15(Max)	4.83(Max)	10.66(Max)	3	Tab	TO-220AB	-	6A								活跃											3					Single		300W									N
SSM3K7002BFS,LF(T)	Toshiba	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	Si	2100@10V	17@25V	150	14.5	3.3	-55	150		表面贴装	0.7	0.8	1.6	3	SSM					Compliant	EAR99	无	无	小信号	Enhancement	1	60	±20	0.2	卷带			LTB											3					Single											N
JANSR2N7426_CDDATAPACK	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	160@12V				不合规	EAR99	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1	200	±20	27	300(Max)@12V	6220@25V	250000	172(Max)	83(Max)	140(Max)	37(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	Tab	TO-254-AA	TO-254AA	通孔						活跃											3					Single											P
JANTXVR2N7467U2	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	30	±20	75	3.5@12V	2500	50(Max)	125(Max)	80(Max)	35(Max)	-55	150		Military	表面贴装	3.1(Max)	13.46(Max)	17.65(Max)	3	TO-276AC						出口接触方式	无	无	功率MOSFET	Enhancement	1				Unconfirmed											3					Single											N
IRHNA597064D	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1							供应商未确认	无	无	60	56	2500000	表面贴装	3.07(Max)	17.65(Max)	13.46(Max)	3	SMD-2				Preliminary											3																P
IRHLUC7970Z4SCS	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	出口接触方式	无	无	60							不合规				活跃																											P
JANSR2N7524D4	Infineon	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1	18@12V		供应商未确认	EAR99	8541.29.00.95	无	无	功率MOSFET	R5	Enhancement	1	60	±20	45	160(Max)@12V	8040@25V	208000	35(Max)	150(Max)	100(Max)	35(Max)	-55	150	Military	通孔	13.84(Max)	6.6(Max)	13.84(Max)	3	TO-254AA								活跃											3					Single											P